Tb sdd estado solido mecanico movel
Lista tb sdd estado solido mecanico movel
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2 2280 capacidade 1 tb atuação leitura sequencial máxima até 3500 mbps gravação sequencial máxima até 3300 mbps caracterÃsticas caracterÃsticas confiabilidade: 600 tbwmarca samsung series 970 evo plus modelo mz-v7s1t0b / am tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma m
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2 2280 capacidade 2 tb componentes de memória 3d nand interface pci-express 30 x4 atuação leitura sequencial máxima até 1800 mbps gravação sequencial máxima até 1800 mbps leitura aleatória de 4kb até 220000 iops escrita aleatória 4kb até 220marca intel series série 660p modelo ssdpeknw020t8x1 tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma m
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Marca adata series su800 modelo asu800ss-2tt-c número da peça asu800ss-2tt-c tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) usado para consumidor detalhes fator de forma 2,5 " capacidade 2 tb componentes de memória 3d nand interface sata iii controlador smi atuação leitura sequencial máxima atto: até 560 mb / s marca de disco de cristal: até 550 mb / s gravação sequencial máxima atto: até 520 mb / s marca de disco de cristal: até 500 mb / s leitura aleatória de 4kb até 90000 iops escrita aleatória 4kb até 80000 horas caracterÃsticas caracterÃsticas 3d tlc nand controlador flash smi hardware avançado ldpc tecnologia ecc cache inteligente slc e buffer de cache dram devslp (suspensão de dispositivo) suportado alta tbw para longevidade de unidade estendida software livre: ssd toolbox e utilitário de migração suporta smart, comando trim e ncq de meio ambiente temperatura de operação 0 ° c ~ + 70 ° c temperatura de armazenamento -40 ° c ~ + 85 ° c resistência máxima de choque 1500g / 0
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2 2280 capacidade 1 tb componentes de memória 64l v-nand mlc interface pcie gen33 cache 512mb de dram lpddr4 atuação leitura sequencial máxima até 3500 mbps gravação sequencial máxima at 3300 mbpssamsung mz-v7e1t0bw modelo marca samsung series 970 evo plus modelo mz-v7e1t0bw tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma m
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Marca samsung series série 860 evo modelo mz-76e2t0b / am tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) usado para consumidor detalhes fator de forma 2,5 " capacidade 2 tb componentes de memória 3d nand interface sata iii controlador mjx atuação leitura sequencial máxima até 550 mbps gravação sequencial máxima até 520 mbps leitura aleatória de 4kb aleatório (qd1): até 10000 iops aleatórios (qd32): até 90000 iops escrita aleatória 4kb aleatório (qd1): até 42000 iops de meio ambiente temperatura de operação 0 ° c ~ + 70 ° c000 iops aleatórios (qd32): até 98
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2 2280 capacidade 500 gb atuação leitura sequencial máxima até 3500 mbps gravação sequencial máxima até 3200 mbps caracterÃsticas caracterÃsticas confiabilidade: 300 tbproduto a pronta entregamarca samsung series 970 evo plus número da peça mz-v7s500b / am tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma m
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2 2280 capacidade 1 tb componentes de memória 64l v-nand mlc interface pcie gen33 cache 512mb de dram lpddr4 atuação leitura sequencial máxima até 3300 mbps gravação sequencial máxima até 2500 mbpssamsung mz-v7e1t0bw modelo marca samsung series 970 evo modelo mz-v7e1t0bw tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma m
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2 2280 capacidade 1 tb componentes de memória nand 2d interface sata iii atuação leitura sequencial máxima até 545 mbps gravação sequencial máxima até 525 mbps leitura aleatória de 4kb até 100000 iops escrita aleatória 4kb até 80marca western digital series azul modelo wds100t1b0b tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma m
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Modelo do torno: bv20l:: motor: 550w - 3/4hp 1ph:: tensão: 220v:: módulo da prateleira: 2:: comprimento máximo de giro/ entre centros/ barramento: 500mm:: altura dos centros sobre o leito: 110mm:: espaço máximo entre a placa e o cabeçote móvel/ contraponto mt2: 500mm:: espaço máximo entre a placa e a ponta da ferramenta: 460mm:: diâmetro máximo sobre o carro transversal: 115mm:: diâmetro máximo de rotação sobre o leito/ barramento: 200mm:: diâmetro máximo de oscilação sobre o transportador: 122mm:: diâmetro do orifÃcio do fuso: morsa nº3:: afunilamento na ponta do fuso: mt3:: número de velocidades do fuso: 6:: furo cônico de barril de cabeçote móvel: morsa # 2:: velocidades do fuso: 6 tipos:: velocidades do fuso de avanço por minuto reversa: 140 - 1710rpm:: número de giros de roscas do parafuso de dimensões métricas: 17 tipos:: medidas de roscas métricas: 00mm:: número de giros de roscas do parafuso de dimensão em polegadas: 17 tipos:: passo do parafuso de rosca métrica: 0,25 - 3mm:: passo de giros de roscas de parafusos de dimensão em polegadas: 8 - 48tpi:: número de alimentações longitudinais: 5 tipos:: variação de alimentações longitudinais: 0,04 - 0,2mm:: orifÃcio no fuso: 20mm:: passo do parafuso de alimentação: 3mm:: trajeto máximo de descanso composto: 70mm:: ângulo de giro máximo do descanso composto: aproximadamente 45°:: trajeto máximo de barril de cabeçote móvel: 50mm:: peso bruto: 140kg
Aracaju (Sergipe)
$ 5800
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Marca samsung series 860 séries qvo modelo mz-76q1t0b / am número da peça mz-76q1t0bw / am tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma 2,5 " capacidade 1 tb interface sata iii atuação leitura sequencial máxima até 550 mbps gravação sequencial máxima até 520 mbps leitura aleatória de 4kb qd32: até 96000 iops qd1: até 75,00 iops escrita aleatória 4kb qd32: até 89000 iops de meio ambiente temperatura de operação 0 ° c ~ + 70 ° c
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Samsung mz-76q1t0b / am modelo marca: samsung series: 860 séries qvo modelo: mz-76q1t0b / am número da peça: mz-76q1t0bw / am tipo de dispositivo: unidade de estado sólido interno (ssd) usado para consumidor detalhes fator de forma: 2,5 " capacidade: 1 tb interface: sata iii atuação leitura sequencial máxima até 550 mbps gravação sequencial máxima até 520 mbps leitura aleatória de 4kb qd32: até 96000 iops qd1: até 75,00 iops escrita aleatória 4kb qd32: até 89000 iops de meio ambiente temperatura de operação 0 ° c ~ + 70 ° c dimensões e peso altura 7,00 mm largura 70,10 mm profundidade 100,00 mm peso 86,18g
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2 2280 capacidade 1 tb componentes de memória 3d nand interface pci-express 3000 iops escrita aleatória 4kb até 220marca intel series série 660p modelo ssdpeknw010t8x1 tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma m0 x4 atuação leitura sequencial máxima até 1800 mbps gravação sequencial máxima até 1800 mbps leitura aleatória de 4kb até 150
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Marca samsung series 860 séries qvo modelo mz-76q2t0b / am tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma 2,5 " capacidade 2 tb interface sata iii atuação leitura sequencial máxima até 550 mbps gravação sequencial máxima até 520 mbps leitura aleatória de 4kb qd32: até 97000 iops qd1: até 75,00 iops escrita aleatória 4kb qd32: até 89000 iops de meio ambiente temperatura de operação 0 ° c ~ + 70 ° c
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As capacidades começam em 500 gb e são dimensionadas para 2 tbmodelo marca crucial series p1 modelo ct500p1ssd8 tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) resistência (total de bytes escritos) 100 tbw detalhes fator de forma m2 2280 capacidade 500 gb componente de memoria 3d nand interface pci-express 3acelere o desempenho com a mais recente tecnologia nvme pcieo p1 foi projetado para ser a única atualização de armazenamento que você precisa - armazenamento, velocidade e confiabilidade0 x4 perfomance leitura sequencial máxima até 1900 mbps gravação sequencial máxima até 950 mbps caracterÃsticas se você está tentando entrar no jogo mais rápido ou armazenar todas as suas preciosas memórias, o ssd crucial p1 oferece
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2 2280 capacidade 1 tb componentes de memória 64l v-nand mlc interface pcie gen3samsung mz-v7s1t0b/am modelo marca samsung series 970 evo plus modelo mz-v7s1t0b/am tipo de dispositivo unidade de estado sólido interno (ssd) detalhes fator de forma m3 cache 512mb de dram lpddr4 atuação leitura sequencial máxima até 3500 mbps gravação sequencial máxima até3300 mbps
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2 2280 capacidade 1 tb componentes de memória 64l v-nand mlc interface pcie gen 3000 iops qd1: até 50500g e 0,5 ms (meio seno) dimensões e peso altura 2000 iops gravação aleatória de 4kb qd32: até 45010mm profundidade 80samsung mz-v7e1t0bw modelo marca samsung series 970 evo modelo mz-v7e1t0bw tipo de dispositivo unidade de estado sólido interna (ssd) usado para consumidor detalhes fator de forma m3 controlador samsung phoenix controller cache dram lpddr4 de 1 gb atuação leitura sequencial máxima até 3400 mbps gravação sequencial máxima até 2500 mbps leitura aleatória de 4kb qd32: até 500000 iops qd1: até 1530 mw consumo de energia (ativo) média: 6w máximo: 10w (modo burst) temperatura de operação 0 ° c ~ + 70 ° c resistência máxima ao choque 1000 horas caracterÃsticas caracterÃsticas aparar suporte criptografia aes: criptografia aes de 256 bits (classe 0) tcg / opal ieee1667 (unidade criptografada) suporte smart gc (coleta de lixo): algoritmo de coleta automática de lixo automático suporte ao modo de suspensão suporte à prova de temperatura nvme gaming ssds management sw: magician software for ssd gestão de meio ambiente consumo de energia (inativo) máx
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2 g desempenho durabilidade do ssd 400 tb taxa de dados internos 3100 mbps (ler)/ 1050 mbps (escrever) confiabilidade mtbf 1,800,000 horas expansão & conectividade interfaces 1 x pci express 30 x4 (nvme) recursos suporte trim, dynamic and static wear leveling, tecnologia garbage collection, cache dram, bad block management, nvm express (nvme) 15 cm altura da remessa 12 2280 interface pci express 30 x4 (nvme) porta compatÃvel m2 2280 potência consumo de potência 30 mw (ocioso) 61 watt (leitura) 33, controlador phison ps5012-e12, s15 cm peso de remessa 28 g2 cm altura 3 mm peso 8largura 8 cm profundidade 25 watt (gravação) 2 mw (devsleep) dimensões e peso (transporte) largura da remessa 12o ssd m3 pcie gen3 x4 m3 da corsa force mp510 oferece desempenho de armazenamento extremo com velocidades de leitura extremamente rápidasmarca corsair capacidade 240 gb recurso ssd tipo interno geral tipo de dispositivo unidade de estado sólido - interna capacidade 240 gb algoritmo de encriptação 256-bits aes tipo de memória flash nand 3d triple-level cell (tlc) fator de forma m7 cm profundidade da remessa 7
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2 2280 capacidade 1 tb componentes de memória tlc 3d interface pci-express 3000 iops gravação aleatória de 4kb até 240marca xpg series gammix s5 número da peça agammixs5-1tt-c tipo de dispositivo unidade de estado sólido interna (ssd) detalhes fator de forma m0 x4 controlador realtek atuação leitura sequencial máxima até 2100 mbps gravação sequencial máxima até 1500 mbps leitura aleatória de 4kb até 250
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Lindo porta notebook , inox, laptop, som, leve e movel, util para assistir filmes e transmitir para a tb do notebook, ou trabalhar na cama ouvir e sua musica, por toda a casa
Vitória (EspÃrito Santo)
$ 950
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0 with oem extensions board compatÃvel com rack: sim opções integradas disponÃveis: não tdp: 145 w tamanho máximo de memória (de acordo com o tipo de memória): 1,02 tb tipos de memória: ddr4 ecc rdimm/lrdimm 1600/1866/2133/2400 nº máximo de canais de memória: 8 largura de banda máxima da memória: 136 gb/s extensões de endereços fÃsicos: 46-bit nº máximo de dimms: 16 compatibilidade com memória ecc: sim gráficos integrados: sim saÃda gráfica: vga revisão de pci express: 3modelo: s2600cw2r part number: dbs2600cw2r fator de forma da placa: ssi eeb 12" x 13" fator de forma do gabinete: rack or pedestal soquete: 2011-3 sistemas integrados disponÃveis: não bmc integrado com ipmi: ipmi 2x: 1 evisão de usb: 20 nº máximo de linhas pci express: 84 pcie x8 3ª geração: 1 pcie x16 3ª geração: 4 pcie x4 gen 20 nº de portas usb: 7 nº total de portas sata: 10 configuração raid: pch sata 6g esrt2 raid 0,1,10 nº de portas seriais: 1 nº de portas lan: 2 lan integrada: 2x 1gbe firewire: não opção de unidade de estado sólido usb (eusb) embarcada: sim infiniband* integrado: não ecnologia de virtualização intel® para e/s direcionada (vt-d) ? sim suporte do módulo de gerenciamento remoto intel® sim intel® node manager sim tecnologia intel® quick resume não tecnologia de sistema intel® quiet não tecnologia de áudio de alta definição intel® não tecnologia de armazenamento em matriz intel® não tecnologia de armazenamento intel® rapid não tecnologia de armazenamento intel® rapid para empresas sim acesso de memória rápida intel® sim acesso de memória flexÃvel intel® sim intel® i/o acceleration technology sim intel® active management technology sim intel® server customization technology sim intel® build assurance technology sim tecnologia de energia eficiente intel® sim tecnologia quiet thermal intel® sim novas instruções intel® aes sim trusted execution technology ? sim versão do tpm 1
Belo Horizonte (Minas Gerais)
$ 3800
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Módulo amplificador sdd black 800 watts rms 4 ohms
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Cpu gamer i5, 8gb, sdd 240gb, placa de vÃdeo gtx750ti wifi
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Cpu gamer i5, 8gb, sdd 240gb, placa de vÃdeo 2gb wifi
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Cpu gamer i5, 8gb, sdd 120gb, placa de vÃdeo gtx750ti
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Cpu gamer i5, 16gb, sdd 240gb, placa de vÃdeo gtx750ti wifi
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Nao vendo pelo mer liv não vendo separado (sou de jundiai mais entrego em sao paulo em estação de metro) pc gamer processador intel core i5 - 8 geração ram de 16 gb ddr5 hd de 1 tb +5 entradas para hd placa mae asus kit cooler fan gamemax 21 led com 4 unidades rgb e controle remoto, 12cm - cl400 gabinete gamermax fonte gamer max placa de video de 4 gb geforce tela 3d de 32 polegadas teclado gamer havit switch mecânico outemu blue, rgb, abnt2 - hv-kb370l combo marvo mouse gamer m315 + mouse pad g1 gamer
$ 30999999046325684
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Produto: papel sublimatico marca: deko tamanho: a4 gramatura: 90gr pacote: 100 folhas quantidade: 1 pacote indicação: para personalizar produtos através de produtos através do processo de sublimaçãoo que é sublimação: sublimação é um fenômeno fÃsico-quÃmico que consiste na passagem direta de uma substância do estado sólido para o estado gasoso e vice-versa, sem passar pelo estado lÃquidono entanto, outros indicam que o conceito sublimação descreve as duas passagensalguns quÃmicos indicam que o processo de passagem do estado gasoso para o estado sólido é a sublimação inversanecessário o uso de tinta sublimaticaoutra substância que sublima à temperatura atmosférica normal é o ácido benzoicoalguns dos exemplos mais comuns de sublimação são a naftalina, iodo e gelo secoquando submetido a temperaturas altas, o iodo passa do estado sólido diretamente para o estado gasosodepois, se o vapor de iodo é arrefecido, ele se transforma diretamente em cristais, sem passar pelo estado lÃquido
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